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微沟槽IGBT 650V单管——让大电流应用“轻装上阵”
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 新产物宣告

产物介绍 来利国际w66官方网站科技近日推出了新一代TO-220/TO-263封装 650V IGBT单管，产物接纳新一代微沟槽工艺平台，极大的优化了器件的导通损耗，产物参数一致性好，可靠性优良。而且器件的导通压降低，通流能力极强，适用于脱毛仪这类对通流能力要求高的应用领域。
产物特点 1. 精细微沟槽工艺平台，极具性价比的芯片方案；
2. 电压品级为650V，电流品级为50A@Tc=100℃ ；
3. 低导通损耗，适用于大电流应用领域；
4. 具有较强的通流能力，Icm可达300A
规格书

DGB50N65ATS2A DGP50N65ATS2A

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