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突破硅基局限，SiC MOSFET解锁光伏微逆与工业电源新能效
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 新产物宣告

产物介绍 来利国际w66官方网站科技近日推出了杰冠微自产1200V 120mΩ SiC MOSFET产物，包罗TO-247AB、TO-247-4L以及TO-263-7L三种封装 。在追求极致能效与系统紧凑化的电力电子设计中，完美平衡了导通损耗与开关性能，专为替代传统硅基超结MOSFET而生 。
产物特点 凭借SiC质料的物理特性，该器件拥有极低的寄生电容和极快的开关速度 。其体二极管具备极低的反向恢复电荷（Qrr），能显著降低开关损耗，使电源系统轻松实现高频化设计，大幅提升功率密度 。
支持高达 175°C 的结温事情环境 。相比同等规格的硅器件，它能大幅减少散热器体积，甚至在部门低功率密度设计中实现无风扇散热，降低了系统整体成本 。
规格书

YJD2120120B7YG3 YJD2120120NCFYG3 YJD2120120NCTYG3

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