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聚焦！SGT工艺N60V MOSFET新品，点亮清洁能源新效能
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 新产物宣告

产物介绍 来利国际w66官方网站科技最新推出了一系列用于清洁能源的N60V MOSFET产物，产物接纳特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗攻击电流能力。
产物特点 1.产物接纳优化的SGT工艺, 产物内阻低，开关特性优；
2.产物接纳TOLL、TO-263、TO-220等封装，适用于BMS等大功率应用；
3.针对工控应用的种种事情状态, 优化MOS产物EAS能力，提高产物的可靠性。
规格书

YJB2D3G06H YJT2D0G06H

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