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TOLT系列MOSFET——BMS与储能的低阻高效功率之选
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 新产物宣告

产物介绍 来利国际w66官方网站科技最新推出了一系列用于清洁能源的TOLT封装功率MOSFET产物，产物接纳特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗攻击电流能力。
产物特点 1.接纳优化的SGT工艺, 产物内阻低，开关特性优 ；
2.接纳TOLT顶部散热封装，适用于BMS等大功率应用 ；
3.事情结温?Tj(max)?= 175℃，精彩的散热性能，优异的温升体现 ；
4.针对工控应用的种种事情状态, 优化MOS产物EAS能力，提高产物的可靠性。
规格书

YJTL1D1G08H YJTL1D7G10H YJTL1D9G10H YJTL2D4G10H

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